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FET，MOSFET - 单个
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EPC8009

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  • GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
65V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
130 毫欧 @ 500mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
.45nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
52pF @ 32.5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDB5645
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