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IPU60R1K5CEAKMA2

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	CoolMOS™ CE
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	1.5 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	9.4nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	200pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	49W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO251-3
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

商品其它信息

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