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FET，MOSFET - 单个

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TP65H035G4WS

  • Transphorm
  • 最新
  • 650 V 46.5 GAN FET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
46.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
41 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
22nC @ 0V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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