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FET,MOSFET - 单个
PHD78NQ03LT,118参考图片

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PHD78NQ03LT,118

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchMOS™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
11nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
970pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
优势价格,PHD78NQ03LT,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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