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FET，MOSFET - 阵列
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SH8M3TB1

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A，4.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
51 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
230pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
优势价格，SH8M3TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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