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FET,MOSFET - 阵列
SP8M10FRATB参考图片

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SP8M10FRATB

  • Rohm Semiconductor
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  • 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (AEC-Q10
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Ta),4.5A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
25mOhm @ 7A,10V,56mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8.4nC,8.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
600pF,850pF @ 10V
功率 - 最大值
2W(Ta)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
优势价格,SP8M10FRATB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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