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FET，MOSFET - 阵列

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BSM600D12P3G001

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
600A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.6V @ 182mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
31000pF @ 10V
功率 - 最大值
2450W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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