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FET,MOSFET - 阵列
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AO6601_001

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.4A,2.3A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
285pF @ 15V
功率 - 最大值
1.15W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商器件封装
6-TSOP
商品其它信息
优势价格,AO6601_001的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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