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FET，MOSFET - 阵列

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DMT6018LDR-7

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.8A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
17 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
13.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
869pF @ 30V
功率 - 最大值
1.9W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
V-DFN3030-8
商品其它信息
优势价格，DMT6018LDR-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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