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FET，MOSFET - 阵列

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SQJB60EP-T2_GE3

  • Vishay Siliconix
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  • DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
12 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1600pF @ 25V
功率 - 最大值
48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
商品其它信息
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