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FET，MOSFET - 阵列

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APTM10DHM09T3G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
POWER MOS V®
零件状态
停產
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
139A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
10 毫欧 @ 69.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
350nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9875pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
商品其它信息
优势价格，APTM10DHM09T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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