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FET，MOSFET - 阵列
ECH8659-M-TL-H参考图片

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ECH8659-M-TL-H

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
24 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
11.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
710pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
8-ECH
商品其它信息
优势价格，ECH8659-M-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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