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FET，MOSFET - 阵列
SI7236DP-T1-E3参考图片

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SI7236DP-T1-E3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
5.2 毫欧 @ 20.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4000pF @ 10V
功率 - 最大值
46W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
商品其它信息
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