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APTGTQ200A65T3G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200A
功率 - 最大值
483W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.2V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
200µA
不同Vce 时的输入电容（Cies）
12nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP3F
商品其它信息
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