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JFET

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TF262TH-4-TL-H

  • ON Semiconductor
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  • JFET N-CH 1MA 100MW
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
N 通道
漏源电压(Vdss)
N 通道
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
140µA @ 2V
漏极电流(Id) - 最大值
1mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
200mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3.5pF @ 2V
电阻 - RDS(开)
3.5pF @ 2V
功率 - 最大值
100mW
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
3-SMD,扁平引线
供应商器件封装
VTFP
商品其它信息
优势价格,TF262TH-4-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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