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UGBT、MOSFET - 单
RJH1CV7DPK-00#T0参考图片

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RJH1CV7DPK-00#T0

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
70A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
70A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.3V @ 15V,35A
功率 - 最大值
320W
开关能量
3.2mJ(开),2.5mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
166nC
25°C 时 Td(开/关)值
53ns/185ns
测试条件
600V,35A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
200ns
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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