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UGBT、MOSFET - 单
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IKZ50N65ES5XKSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
TrenchStop™ 5
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值
274W
开关能量
770µJ（开），880µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120nC
25°C 时 Td（开/关）值
36ns/294ns
测试条件
400V，25A，23.1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
62ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
PG-TO247-4
商品其它信息
优势价格，IKZ50N65ES5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGB8204NT4
ON Semiconductor
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暂无价格
参考库存:32176
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