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UGBT、MOSFET - 单
AFGB40T65SQDN参考图片

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AFGB40T65SQDN

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 650V/40A FS4 IGBT TO263 A
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
160A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值
238W
开关能量
858µJ(开),229µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
76nC
25°C 时 Td(开/关)值
17.6ns/75.2ns
测试条件
400V,40A,6 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
131ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK-3(TO-263-3)
商品其它信息
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