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UGBT、MOSFET - 单
RJH65T14DPQ-A0#T0参考图片

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RJH65T14DPQ-A0#T0

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.75V @ 15V,50A
功率 - 最大值
250W
开关能量
1.3mJ(开),1.2mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
80nC
25°C 时 Td(开/关)值
38ns/125ns
测试条件
400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
250ns
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247A
商品其它信息
优势价格,RJH65T14DPQ-A0#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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