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UGBT、MOSFET - 单

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STGWT15H60F

  • STMicroelectronics
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  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
H
零件状态
停產
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，15A
功率 - 最大值
115W
开关能量
136µJ（开），207µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
81nC
25°C 时 Td（开/关）值
24.5ns/118ns
测试条件
400V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，15A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格，STGWT15H60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGH50N60C2
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IGBT 600V 40A 160W TO3P
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NGTB30N60SWG
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IGBT 600V 60A 189W TO247
暂无价格
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IKW50N65F5AXKSA1
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IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
暂无价格
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SGR6N60UFTM
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UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 6A 30W DPAK
暂无价格
参考库存:35198
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