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双极(BJT)- 单,预偏置
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DTA114EET1G

  • ON Semiconductor
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  • TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)
10 kOhms
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
35 @ 5mA,10V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
500nA
功率 - 最大值
200mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-75,SOT-416
供应商器件封装
SC-75,SOT-416
商品其它信息
优势价格,DTA114EET1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 单,预偏置
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双极(BJT)- 单,预偏置
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