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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
PEMH30,115参考图片

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PEMH30,115

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
30 @ 20mA,5V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
300mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
商品其它信息
优势价格,PEMH30,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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