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FET，MOSFET - 阵列
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HP8K22TB

  • Rohm Semiconductor
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  • 30V NCH NCH MID POWER MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
27A，57A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
16.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1080pF @ 15V
功率 - 最大值
25W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-HSOP
商品其它信息
优势价格，HP8K22TB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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