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FET，MOSFET - 阵列
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EPC2102ENGRT

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  • GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
eGaN®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
23A（Tj）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.4 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
6.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
830pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
商品其它信息
优势价格，EPC2102ENGRT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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